晶体缺陷按照其维度变化可以分为零维点缺陷,控最一维线缺陷,二维面缺陷以及三维体缺陷,它们破坏晶格周期性,引入应变场。这个结果也表明我们可以把通过调控位错密度来控制热电性能扩展到化学成分调控,新进从而增加位错工程的可操控量。目前主要通过引入晶体缺陷来调控电子以及声子的输运行为,烟台试图在优化其中一个参数的同时不损害甚至协同提升其他的参数。
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但是表征材料原子尺度的化学成分非常困难,控最特别是各种晶体缺陷在三维空间的分布形式更难以从当前尖端的结构表征技术中获得,控最比如球差矫正透射电镜,同步辐射X射线等。
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